半导体生产链持续去化库存，市场盛传晶圆代工厂恐有下修资本支出的风险。但半导体业者指出，目前各家业者对于全年资本支出规划仍未有所变动，台积电今年资本支出仍维持在320～360亿美元之间，联电亦维持30亿美元不变。至于韩国三星在半导体投资维持53兆韩元高档，但记忆体已开始减产。

市场传出，台积电可能会二度下修全年资本支出，由360亿美元高缘降至340亿元，并延后2奈米先进制程推进时程，高雄厂也延至2024年量产。不过，业界指出，包括台积电、联电、三星等仍维持今年初的资本支出计画不变，设备业者指出，第一季尚未结束，市况并未再度恶化，没有必要在此时再度下修资本支出。

以台积电、三星等过去的投资动作来看，景气下行初期时会略为缩手，但接近谷底时反而会开始逆势增加投资，如此才能在景气复苏时抢下更多市占率。例如上次半导体景气在2019年触底回升，台积电当年就拉高资本支出并成为全球最大7奈米晶圆代工厂。

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台积电维持今年资本支出320～360亿美元计画。台积电说明，鉴于市场的短期不确定性，将继续审慎管理业务，并适时调整和紧缩资本支出。尽管如此，台积电仍重申支持客户成长的承诺，严谨的资本支出和产能规划仍是基于长期的结构性市场需求。

台积电今年资本支出中有70％用在先进制程技术，20％用于特殊制程，约10％将用于先进封装、光罩制作等。由于近年来资本支出维持高档，且3奈米生产线已开始进入量产阶段，今年折旧费用将较去年增加约30％，但不会影响每季季实现可持续性的现金股利。

联电应对当前的景气低迷，已进行严格的成本控管措施，并尽可能推迟部份资本支出，但中长期来看，仍预期成熟制程结构性产能不足情况会在下半年之后逐步显现。联电去年下半年将部分投资递延至今年，所以今年资本支出增加至30亿美元。至于三星电子日前说明会在不景气时逆势投资，今年资本支出53兆韩元约与去年相当，包括增加韩国平泽的3奈米晶圆代工产能建置，以及完成平泽P3及P4两座记忆体厂量产前准备。三星晶圆代工产能维持不变，不过DRAM及NAND Flash价格跌势不止，三星已松口表示第一季会主动降低产能利用率以因应当前危机。